Auswahl der richtigen MOSFETs für einen Synchron-Abwärts-Schaltregler mit geringem Tastverhältnis
Auf den MOSFET kommt es an
Fortsetzung des Artikels von Teil 3
Auswahl des Sync-FET
Die Gleichungen 1 beschreiben die Verlustkomponenten eines Sync-FET. Zur Minimierung von Leitungsverlusten trägt ein Trench-MOSFET mit dem geringsten RDS(on)-Wert bei. Die Trench-Struktur ermöglicht eine hohe Zellendichte, die zu einem niedrigeren RDS(on) führt, indem sie die JFET-Abschnürung unterbindet, wie sie in einer Nicht-Trench-Struktur auftritt. Allerdings sichert die Wahl eines Trench-MOSFET mit dem geringstmöglichen Einschaltwiderstand in der Praxis nicht notwendigerweise auch die geringsten Verluste. Beispielsweise sollte ein geeigneter Sync-FET zudem eine hohe Festigkeit gegen durch Cdu/dt induziertes Abschalten aufweisen.
Treiberverluste = Qg x UGate x f QOSS - Verlust = QOSS/2 x UIN x f Totzeitverluste = (td1 + td2) x IOUT x UF x f Leitungsverluste = RDS(on) x IOUT2 x (1 - D) |
| Gleichungen 1. Beschreibung der Verlustkomponenten bei Sync-FETs. |
- Auf den MOSFET kommt es an
- Optimiertes Regler-Layout
- Auswahl des Steuer-FET
- Auswahl des Sync-FET