Auswahl der richtigen MOSFETs für einen Synchron-Abwärts-Schaltregler mit geringem Tastverhältnis

Auf den MOSFET kommt es an

18. April 2007, 10:17 Uhr | Eric Persson

Fortsetzung des Artikels von Teil 3

Auswahl des Sync-FET

Die Gleichungen 1 beschreiben die Verlustkomponenten eines Sync-FET. Zur Minimierung von Leitungsverlusten trägt ein Trench-MOSFET mit dem geringsten RDS(on)-Wert bei. Die Trench-Struktur ermöglicht eine hohe Zellendichte, die zu einem niedrigeren RDS(on) führt, indem sie die JFET-Abschnürung unterbindet, wie sie in einer Nicht-Trench-Struktur auftritt. Allerdings sichert die Wahl eines Trench-MOSFET mit dem geringstmöglichen Einschaltwiderstand in der Praxis nicht notwendigerweise auch die geringsten Verluste. Beispielsweise sollte ein geeigneter Sync-FET zudem eine hohe Festigkeit gegen durch Cdu/dt induziertes Abschalten aufweisen.

Treiberverluste = Qg x UGate x f

QOSS - Verlust = QOSS/2 x UIN x f

Totzeitverluste = (td1 + td2) x IOUT x UF x f

Leitungsverluste = RDS(on) x IOUT2 x (1 - D)

Gleichungen 1. Beschreibung der Verlustkomponenten bei Sync-FETs.


  1. Auf den MOSFET kommt es an
  2. Optimiertes Regler-Layout
  3. Auswahl des Steuer-FET
  4. Auswahl des Sync-FET