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ISSCC 2013

Chip-Konferenz schaut zum 60.Mal in die Zukunft

18. Februar 2013, 18:42 Uhr | Frank Riemenschneider

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Fortsetzung des Artikels von Teil 2

Foundries brauchen dringend EUV

Last but not least präsentierte Martin van den Brink, CTO des niederländischen Fabtool-Herstellers ASML, die Fortschritte bei der Lithografie - bekanntlich sind ja die Entwicklungen bei EUV (Extrem-ultraviolett) immer noch nicht in Bereichen, wo ein wirtschaftlicher Betrieb möglich wäre. Van den Brink sieht insbesondere einen hohen Leidensdruck bei Foundries, die anders als IDMs wie Intel, die von vornherein litho-freundliche Chip-Designs aufsetzen und sich durch Multi-patterning-Designs noch weiter mit der 193-nm-Immersionslithografie behelfen können, keine vollständige Kontrolle über das Design ihrer Kunden haben, und deswegen nach seiner Aussage bei MPUs und Logik-Chips ohne EUV keinen wirtschaftlichen Weg zu 14-nm-Designs und darüber hinaus haben. EUV würde auch für 14 nm Single-Patterning ermöglichen. Auch DRAM ist eine Skalierung unterhalb von 20 nm mit 193-nm-Litho kritisch, entspannter sei die Lage bei NAND-Speichern.

Stand der Dinge heute ist, dass ASML mit dem NXE:3100 ein Gerät vorgestellt hat, dessen Strahlungsquelle 105 W liefert und einen Durchsatz von 8 bis 80 Wafern pro Stunde erlaubt. Die nächste Generation mit der Bezeichnung NXE:3300B befindet sich derzeit noch im Teststadium und soll mit 250 W dann schon 60 bis 126 Wafer/Stunde belichten können. Für 2014 plant ASML die nächste Generation (NXE:3350B), die dann sicher 125 Wafer/Stunde prozessieren können soll.

Auch zur Entwicklung von Tools für 450-mm-Wafer äußerte sich van den Brink. Erste Tools werden nicht vor 2015 fertig sein, die Volumenproduktion nicht vor 2018 starten können. Dafür gibt es einen einfachen Grund: Priorität 1 im Haus ASML hat die Entwicklung von EUV für 300-mm-Wafer, so dass alle Aktivitäten im Kontext 450-mm-Wafer "on top der bestehenden Prioritäten" erfolgen müssen.