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Wolfspeed

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Interview mit Andreas Urschitz, Infineon

»Digital Power ist der Enabler für SiC und GaN«

Um Infineons Marktführerschaft im Bereich Leistungselektronik auszubauen, setzt Andreas Urschitz, Division President Power Management & Multimarket, vor allem auf den Power-Systems-Ansatz. Die geplante Übernahme von Cypress Semiconductor spielt ihm…

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Comment / Silicon Carbide

Quest for Controlling the Supply Chain

Gregg Lowe's announcement at PCIM 2019 to invest one billion Dollars into expanding Cree's…

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Kommentar / Siliziumkarbid

Kampf um die Hoheit über die Lieferkette

Gregg Lowes Ankündigung auf der PCIM 2019, eine Milliarde Dollar in den Ausbau der…

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© Cree / ABB

Partnerschaft im SiC-Bereich

Cree arbeitet mit ABB zusammen

Cree erweitert sein Netz am Partnerschaften im SiC-Bereich und liefert in Zukunft…

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Aktualisierter Kapazitätsausbauplan

Cree errichtet weltgrößte SiC-Wafer-Fab in New York

Im Mai 2019 hatte Cree angekündigt, mit einer Investition von 1 Milliarde Dollar die…

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Delphi und Cree

Kooperation für kürzere Ladezeiten

In Delphis DC/DC-Wandlern und Ladegeräten werden zukünftig SiC-Halbleiter eingesetzt. Mit…

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Cree und ON Semiconductor

Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Nach Infineon, einem namentlich nicht genannten Unternehmen sowie STMicroelectronics hat…

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Interview mit Gregg Lowe, Cree

Warum wir eine Milliarde Dollar investieren

Waferkapazität ist der Engpass bei der Kommerzialisierung von Siliziumkarbid. Auf der PCIM…

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Interview with Gregg Lowe, CEO of Cree

One Billion Dollars For SiC Capacity

Wafer capacity is the bottleneck in commercializing silicon carbide. At PCIM Europe 2019,…

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Eine Milliarde Dollar für Siliziumkarbid

Gregg Lowe baut Cree komplett um

Auf der PCIM 2019 hat Gregg Lowe, der CEO von Cree, angekündigt, eine Milliarde US-Dollar…

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