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Wolfspeed

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen.

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V…

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer…

Warum TSMC in Dresden baut

TSMC in Dresden – die wichtigsten Fragen und Antworten

Spatenstiche sind beliebte Termine bei Politikern. Doch wenn jetzt in Dresden ein Spaten…

SiC-Rampe wird ab 2025 immer steiler

Stromhunger von KI-Anwendungen treibt Leistungshalbleiter-Markt

Im SiC-Bereich fallen die neuen 400-V-SiC-MOSFETs von Infineon auf, andere Unternehmen…

Power-Talk Teil 2

Standarisierung bremst Innovation

Anders als Marktforscher, glauben die Leistungshalbleiter-Hersteller nicht an die…

Power-Talk Teil 3

Geopolitische Herausforderungen

Aus Sicht der Leistungshalbleiter-Branche wäre es sinnvoller, in Europa Fabs mit…

Power-Talk Teil 1

Wachstumstreiber SiC und GaN

Auch wenn Thomas Grasshoff, Semikron-Danfoss, Alfred Hesener, Navitas und Ole…

Milliarden-Investitionen für SiC

Der Wettlauf hat längst begonnen

Natürlich wird die Automobilindustrie bis 2030 weiterhin der größte Abnehmer von…

Globaler Leistungshalbleiter-Bedarf

Wettlauf um den Ausbau der Fertigungskapazitäten

Mit Milliardeninvestitionen in ihre Fertigungskapazitäten versuchen…