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Neue Automotive-GaN-FETs von TI

Doppelte Leistungsfähigkeit mit weniger Bauelementen

Texas Instruments erweitert mit den weltweit ersten 650 V Automotive-GaN-FETs (LMG3525R030-Q1) mit integriertem Si-Treiber, Schutzfunktionen und aktivem Power-Managment sein GaN-Leistungshalbleiterspektrum.

Texas Instruments / Galliumnitrid

Integrierter 650-V-GaN-FET für Automotive-Anwendungen

Mit dem LMG3525R030-Q1 hat Texas Instruments seinen ersten Automotive-qualifizierten…

Power-Highlights auf der electronica

Automotive-GaN-FET mit 99% Wirkungsgrad

Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche und…

Stromversorgung

Texas Instruments auf der electronica 2020

Rauscharme Abwärtswandler mit integrierter Ferritperlen-Kompensation

Stromversorgung

Texas Instruments auf der electronica 2020

Rauscharme Abwärtswandler mit integrierter Ferritperlen-Kompensation

Texas Instruments

Abwärtswandler mit integrierter Ferritperlen-Kompensation

Der laut Texas Instruments branchenweit erste rauscharme Abwärtswandler mit integrierter…

Steigerung der Leistungsdichte

Bis ans Limit und weiter

Platz für die Stromversorgung ist knapp, mit weniger Ressourcen muss immer mehr Leistung…

Big Five

Herausforderungen beim Design von mHealth-Lösungen

So unterstützt Texas Instruments Entwickler von Geräten für die Patientenfernüberwachung

Eingangsstufen für Photodioden

Herausforderung Lidar-Anwendungen

Verstärkerschaltungen für Photodioden in Lidar-Systemen müssen nicht nur schnell sein, sie…

Texas Instruments

Single-Pair-Ethernet-PHY mit Rekord-Übertragungsstrecke

Texas Instruments (TI) hat einen Ethernet-PHY-Baustein (Physical Layer) vorgestellt, der…