Firma

MEV Elektronik Service GmbH

SiC-Halbleiter von Cree, SiC-Module von Powersem

Mit SiC-Power-Modulen Leistung hocheffizient wandeln

Die Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter wie SiC und GaN haben aufgrund ihrer physikalischen Überlegenheit gegenüber Si niedrigere Schaltverluste und eine bessere thermische Leitfähigkeit und sind daher ideal geeignet für hohe Schaltfrequenzen. Aufgrund…

Gesamtkosten entscheiden

Ist SiC wirklich teuerer als Silizium?

Der weit verbreiteten Aussage, dass SiC-Leistungsbauelemente zwar wesentlich effizienter…

Cree / MEV Elektronik Service

Zweite Generation SiC-MOSFETs

Cree (Vertrieb: MEV), kündigt auf der PCIM die zweite Generation seiner SiC-MOSFETs an. Im…

TFT-Displays

Einheitliches Anschlusskonzept

Orient Displays präsentiert seinen Kunden eine neue TFT-Produktlinie für die Größen 2,4…

Distributor des Jahres 2012

Die Gesichter der Champions

Die Auswertung der Leserwahl zum „Elektronik-Distributor des Jahres“ und die…

Trinamic/MEV

Programmierbare Schrittmotorsteuerung als System-on-Chip

Mit der Produktfamilie motionCookie schließt Trinamic Motion Control die Lücke zwischen…

Trinamic/MEV

Programmierbare Schrittmotorsteuerung als System on Chip

Mit der Produktfamilie motionCookie schließt Trinamic Motion Control die Lücke zwischen…

Für PV-Mikroinverter

SiC Normally-on JFETs mit minimalen Schaltverlusten

Höhere Schaltgeschwindigkeiten im Vergleich zu Silizium-MOSFETs ermöglichen die SiC…

»Bessere Effizienz bei weniger Systemkosten«

MEV setzt auf Power mit Siliziumkarbid

Mit SemiSouth, Hersteller von Transistoren und Dioden auf Siliziumkarbid-Basis (SiC), hat…

DIN EN 9120 jetzt auch für den Militärbereich

MEV erhält erweiterte DIN EN 9120 Zertifizierung

Die DIN EN 9120 wurde überarbeitet und enthält in ihrer aktuellen Fassung neben…