Für PV-Mikroinverter
SiC Normally-on JFETs mit minimalen Schaltverlusten
7. Mai 2012, 11:54 Uhr |
Karin Zühlke
Höhere Schaltgeschwindigkeiten im Vergleich zu Silizium-MOSFETs ermöglichen die SiC Normally-on Trench JFETs von Semisouth (Vertrieb: MEV). Die Transistor-Serie zeichnet sich außerdem durch deutlich geringere Verluste aus. Geeignet sind die Bausteine beispielsweise für PV-Mikroinverter.
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Die Bausteine Mit 1200V und einem maximalen Einschaltwiderstand von 340 m§Ù (typischer RDS,on von 270 m§Ù) besitzen diese neuen Transistoren mit der Produktbezeichnung SJDP120R340einen positiven Temperaturkoeffizienten, so dass sie leicht parallel zu schalten sind und äußerst schnell ohne Schweifstrom (Tail Current) bei 150 °C schalten.
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