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In neuem Gehäuse

Infineon StrongIRFET MOSFET für batteriegetriebene Anwendungen

Infineon erweitert seine StrongIRFET-Familie mit dem D²PAK 7pin+, einem 40-V-Baustein in neuem Gehäuse. Der robuste MOSFET verfügt über eine niedrige R DS(on) von 0,65 mΩ und die branchenweit höchste Stromtragfähigkeit.

Infineons CIPURSE-Strategie

»Großer Zuspruch am Markt«

Eine steigende Nachfrage nach Lösungen auf Basis des offenen Standards CIPURSE »und großen…

Safety in Hinblick auf autonomes Fahren

Schnelle Kommunikation für redundante Systeme

Auf dem Weg zum autonomen Fahren spielen Sicherheit und Zuverlässigkeit eine erhebliche…

Elektronik-Leserwahl

Produkte des Jahres 2017 – Aktive Bauelemente

Die Leser der Elektronik haben gewählt: Das sind die »Produkte des Jahres 2017« der…

Halbleiterhersteller/Tier-Ones/OEMs

Entwicklungszeit verkürzen?

Die Automobilindustrie befindet sich im Wandel. Nicht nur dass Tesla, Google und Co. den…

Great Places to Work

Infineon und Sick sind Deutschlands beste Arbeitgeber

Die Sieger des Wettbewerbs »Deutschlands Beste Arbeitgeber 2017« stehen fest.…

Für höhere Leistungsdichte

IGBT-Module im 62-mm-Gehäuse

Infineon erweitert sein Angebot an IGBT-Modulen im 62-mm-Gehäuse. Die neuen…

Interview mit Infineon-Vorstand

» Wir leben die Smart Factory vor «

Seit Juli 2016 ist Dr. Helmut Gassel im Vorstand des Chipherstellers Infineon. Im…

Security

Forschungsprojekt zu sicheren Updates

Unter der Projektleitung von Infineon wird im BMBF-geförderten Projekt ALESSIO untersucht,…

Interview mit Dr. Gerald Deboy, Infineon

CoolMOS – Hintergründe und Ausblicke einer Erfolgsstory

Kaum ein Bauteil hat die Leistungshalbleiterei so nachhaltig verändert wie der »CoolMOS«.…