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Niedrige Verluste bei moderater Last

SiC-MOSFETs in Halbbrücken-Leistungsmodulen

Bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich, etwa den Antriebssträngen von E-Fahrzeugen, sind niedrige Leitungsverluste bei geringer Last gefragt. Leistungsmodule mit SiC-MOSFETs erfüllen diese Anforderung gut. Ein Beispiel sind mit…

CoolSiC-MOSFETs

Schritt für Schritt SiC-Designs etablieren

Um SiC für eine Vielzahl von Anwendungen wie Solarwechselrichter, USVs und Ladesysteme…

Sicherheit und IoT

Dezentrale Netze: Nicht das Problem sondern die Lösung!

Sicherheit – also Safetey und Security – stand im Mittelpunkt der…

Passive Bauelemente

Magnetics für GaN und SiC

Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) verdienen das…

M&T-Forum »Obsolescence Management«

Strategien zur Risiko-Minimierung

Das Thema Obsolescence Management betrifft nicht nur die Abkündigung elektronischer…

Interview mit Dr. Reinhard Ploss

»Autonome Agenten sehen wir als eine riesige Chance«

Agiler zu werden und schneller zu lernen – das war eines der Ziele der Übernahme von…

Infineon

Halbleiterschalter Power Profet ersetzen Relais

Infineon Technologies hat die intelligenten High-Side-Schalter der Familie Power Profet in…

IGBTs, MOSFETs & Co.

Neuheiten in der Leistungselektronik

Ob SiC, GaN oder Neuentwicklungen auf Basis etablierter Technologien - in der…

Interview Dr. Martin Schulz, Infineon

Power für Männerspielzeug

Leistungsmodule für Stadtbusse oder Muldenkipper müssen viel aushalten. Dr. Martin Schulz…

Embedded SIM - Wachstumstreiber für M2M

Robuste eSIM-Controller

Eine einfache und robuste Integration von Mobilfunkmodems ist dank Embedded SIM möglich.…