Firma

INFINEON Technologies AG Neubiberg

Neue Leistungshalbleiter-Trends

Bidirektionale GaN-Transistoren und JFET-Renaissance

Strom mit nur einem Bauelement in beide Richtungen steuern zu können, das ist der Heilige Gral der Leistungselektronik. Auf der PCIM in Nürnberg wurde deutlich, dass das auch für HF- und HV-Anwendungen möglich sein werde.

Infineon Technologies

Ehrgeizige Dekarbonisierungsziele

Die unternehmenseigenen Emissionen von Infineon Technologies erfüllen den höchsten…

Infineon/Visteon

Advanced Power Conversion Systems for Electric Vehicles

Infineon Technologies and Visteon announced the companies have signed a Memorandum of…

Infineon Technologies

Bundesregierung genehmigt Förderung für Fab in Dresden

Im Februar kam die Genehmigung durch die Europäische Kommission, jetzt erteilt auch die…

Optimierung parasitärer Effekte

Evaluierungsboard reduziert Streuinduktivität mit SiC-MOSFETs

Parasitäre Elemente auf dem Strompfad sind zentrale Aspekte der elektronischen…

Infineon Technologies

EasyPACK-Leistungsmodule auf CoolGaN-Basis

Infineon erweitert sein GaN-Portfolio mit EasyPACK-Modulen für Anwendungen wie…

XENSIV Magnetschalter der 4. Generation

Funktionale Sicherheit bis zu ASIL B

Bei der Entwicklung von Anwendungen für das autonome Fahren ist die Einhaltung der Norm…

Infineon und Marelli

Neue Ära für HUD-Displays dank »MEMS LBS«

Marelli entwickelt auf Basis des MEMS Laser-Beam-Scanning-System (LBS) von Infineon…

Weltweiter Anstieg des Energieverbrauchs

Wie Siliziumkarbid die Energiesysteme verändert

Siliziumkarbid (SiC) ermöglicht eine Verringerung der Energieverluste über mehrere…

Infineon Technologies

GaN transistor product family with integrated Schottky diode

Infineon Technologies has introduced the world’s first gallium nitride (GaN) power…