Firma

INFINEON Technologies AG Neubiberg

Optimierung parasitärer Effekte

Evaluierungsboard reduziert Streuinduktivität mit SiC-MOSFETs

Parasitäre Elemente auf dem Strompfad sind zentrale Aspekte der elektronischen Entwicklung, da sie Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit maßgeblich beeinflussen.

Infineon Technologies

EasyPACK-Leistungsmodule auf CoolGaN-Basis

Infineon erweitert sein GaN-Portfolio mit EasyPACK-Modulen für Anwendungen wie…

XENSIV Magnetschalter der 4. Generation

Funktionale Sicherheit bis zu ASIL B

Bei der Entwicklung von Anwendungen für das autonome Fahren ist die Einhaltung der Norm…

Infineon und Marelli

Neue Ära für HUD-Displays dank »MEMS LBS«

Marelli entwickelt auf Basis des MEMS Laser-Beam-Scanning-System (LBS) von Infineon…

Weltweiter Anstieg des Energieverbrauchs

Wie Siliziumkarbid die Energiesysteme verändert

Siliziumkarbid (SiC) ermöglicht eine Verringerung der Energieverluste über mehrere…

Infineon Technologies

GaN transistor product family with integrated Schottky diode

Infineon Technologies has introduced the world’s first gallium nitride (GaN) power…

Infineon Technologies

Erste GaN-Transistorfamilie mit integrierter Schottky-Diode

Infineon Technologies hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren…

Kleiner, schneller, stärker

Perfekte Kombination aus AlN-Keramiksubstrat und SiC-MOSFETs

Durch die Kombination von AlN-Keramik und SiC-MOSFETs entstehen kompakte, effiziente und…

Ausbau der Systemkompetenz fürs SDV

Infineon übernimmt Automotive-Ethernet-Geschäft von Marvell

Infineon schließt eine Vereinbarung zur Übernahme des Automotive-Ethernet-Geschäfts von…

Kommunikationslücken im IIoT schließen

NFC und I2C als Brücke vom Mobile Device zur MCU im IIoT-Gerät

Für die Konfiguration und Authentifikation von IIoT-Geräten waren bisher meist integrierte…