Firma

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Fraunhofer IAF / Leistungshalbleiter

Aluminiumscandiumnitrid erstmals per MOCVD hergestellt

HEMT-Bauelemente auf der Basis von AlScN gelten als die nächste Generation der Leistungselektronik. Nun ist Forschern des Fraunhofer IAF das bislang Unmögliche gelungen – die Herstellung dieses Materials per metallorganischer chemischer…

Forschung im Bereich Optoelektronik

Echtzeit-Messsystem mit Quantenkaskadenlaser

Um die Qualität von Pharmazeutika zu gewährleisten, müssen sowohl Hersteller als auch…

Für die Elektromobilität

Monolithisch integrierte GaN-Leistungselektronik

Auf nur 4 x 3 mm2 integrierten Forscher des Fraunhofer IAF Strom- und Temperatursensoren…

Fraunhofer IAF / PCIM

GaN Power ICs with Integrated Sensors

Researchers at Fraunhofer IAF have succeeded in significantly increasing the functionality…

Fraunhofer IAF / PCIM

Galliumnitrid-Power-ICs mit integrierter Sensorik

Forschern vom Fraunhofer IAF ist es gelungen, den Funktionsumfang von GaN-Power-ICs für…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Vier Koryphäen im Video-Interview

Auf unserem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018 waren einige der Koryhäen der Branche…

Leistungshalbleiter

Neues Material besser als GaN

Scandiumaluminiumnitrid verspricht noch bessere Wirkungsgrade und längere Lebensdauern für…

EU project “5G GaN2”

Gallium Nitride for a Powerful 5G Cellular Network

Until now no technology exists that allows the future 5G network. In the EU project “5G…

EU-Projekt »5G GaN2«

Galliumnitrid für ein leistungsstarkes 5G-Netz

Noch gibt es keine Technologie für ein 5G-Netz. In dem EU-Projekt »5G GaN2« haben sich 17…

Radar-on-Chip

Smokebot hat den Durchblick

Dank dem Radar-on-Chip vom Fraunhofer FHR verliert Smokebot auch bei eingeschränkter Sicht…