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CEA Leti

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Comment on GaN from STMicroelectronics

Who Comes Late...

Last Monday, STMicroelectronics announced its plans to develop GaN-on-Silicon technology for power. The fact that this major player in power electronics is just entering does raise some questions – especially about the timescale.

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Kommentar zu GaN von STMicroelectronics

Wer zu spät kommt …

Letzten Montag vermeldete STMicroelectronics, dass es eine GaN-auf-Silizium-Technologie…

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© STMicroelectronics

Kooperation mit CEA Leti

STMicroelectronics startet GaN-on-Si-Aktivität

STMicroelectronics und das Forschungsinstitut Leti wollen gemeinsam GaN-on-Si-Technologien…

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© ESA–P. Carril, 2013

Magnetoenzephalographie

Vom Weltraum in die Medizin

MEG-Scanner wogen bisher eine halbe Tonne und waren empfindlich – Patienten mussten…

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© IEDM

IEDM 2017

Globalfoundries holt kräftig auf

Auf der letzten IEDM in San Francisco haben Globalfoundries und Intel ihre neuen…

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© CEA Leti

Neuer CEO von CEA Leti

Emmanuel Sabonnadiere folgt Marie-Noelle Semeria nach

Leti, ein Technologieforschungsinstitut von CEA Tech, hat bekanntgegeben, dass Emmanuel…

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© Leti

EV Group und Leti

1 µm Pitch – Durchbruch für 3D-IC-Fertigung

Weltweit erstmals haben die EV Group und das Leti 300-mm-Wafer direkt so gebondet, dass…

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© CEA Minatec P. Conche

MEMS, Sensoren und Bildverarbeitung

Zwei Summits für eine intelligente, vernetzte Welt

Vom 20. bis 22. September 2017 finden in Grenoble parallel der European MEMS & Sensors…

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Zusammenarbeit von Leti und Fraunhofer

Gemeinsam die Zukunft der Mikroelektronik gestalten

Fraunhofer und Leti wollen gemeinsam an der Entwicklung zukunftsweisender…

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© Markt & Technik

Leti/Fraunhofer

Deutschland und Frankreich arbeiten zusammen

Das französische Forschungsinstitut Leti und der Fraunhofer Verbund für Mikroelektronik…

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