Elektronik

Gunter Kegel, Präsident des ZVEI

Auf dem Weg zur All-Electric-Society

70 Jahre Elektronik, 70 Jahre voller technischer Innovation, immer am Puls der Zeit für…

Display-Neuheiten

Licht und Farbe für den Herbst

Displays sind längst mehr als nur eine Mattscheibe. Sie dominieren nicht nur bei…

Motorsteuerung mit GaN-Leistungs-ICs

Effizient, robust, kostengünstig

Elektrische Antriebe gehören zu den größten »Energiefressern«. Daher liegt in der…

Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm

Tiefe Einblicke in die Gen 4

Vor kurzem hat Rohm Semiconductor seine vierte Generation an Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC)…

Treffpunkt München – Electronica

19. Wireless Congress: Systems & Applications

Jährlich findet in München im Herbst der Wireless Congress statt, organisiert von der…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid…

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid…

Trennverstärker

Spannungen in Antrieben isoliert erfassen

Antriebe, String-Wechselrichter oder On-Board-Ladegeräte arbeiten mit so hohen Spannungen,…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des Materials…

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs…