Erste Erfolge im EU-Projekt YESvGaN
Vertikale GaN-Transistoren zu Kosten von Silizium
Laterale GaN-auf-Silizium-HEMTs sind mittlerweile breit am Markt verfügbar. Vertikale GaN-Leistungstransistoren, wie sie bei Silizium und Siliziumkarbid (SiC) üblich sind, bergen große Herausforderungen. Das EU-Projekt YESvGaN will daran arbeiten,…