Wide-Bandgap-Materialien im Fokus
Impulsstrompotenzial von SiC-FETs
WBG-Halbleiterschalter wie etwa SiC-FETs zeichnen sich durch geringe statische und dynamische Verluste aus und halten hohen Impulsströmen stand. Doch wie lassen sich die Eigenschaften quantifizieren? Und was zeigt der Vergleich mit Silizium-/Si-Komponenten?
