International Rectifier (Halle A5 Stand 320) stellte mit dem AUIRB24427S ein Dual-Low-Side-Treiber-IC für den Einsatz in Schaltnetzteilen vor, das sowohl in Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEV) und Elektrofahrzeugen (EV) als auch in industriellen Hochleistungswandlern Verwendung finden kann. Der Baustein mkit einen Ausgangsstrom von mindestens 6 A pro Kanal über den vollen Temperaturbereich wurde zur Ansteuerung von großen IGBT- und MOSFET-Gates in Modulen oder diskreten Bauteilen entwickelt. Infolge der geringen Ausgangsimpedanz im Einschalt- und Abschaltmodus sind auch die Leistungsverluste gering. Der Treiber AUIRB24427S ist in einem wärmetechnisch verbesserten PSOIC-8N-Gehäuse erhältlich, das im Vergleich zu Standard-DIL-SMD-Gehäusen eine höhere Wärmeabstrahlung bei einer beträchtlich höheren Umgebungstemperatur bietet. Das IC ist mit einem maximalen Ausgangswiderstand von 650 mΩ Sink und Source bei 125 °C ausgewiesen.