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Renesas Electronics

Leistungs-MOSFET mit kompakten Gehäuseformen

21. Januar 2011, 8:23 Uhr | Stephan Janouch

Die 32 neuen n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Renesas Electronics wurden speziell hinsichtlich ihres Durchgangswiderstands optimiert und sind in verschiedenen kompakten Gehäuseformen lieferbar.

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So ist beispielsweise der NP75N04YUK, der über eine Stromtragfähigkeit von bis zu 75 A verfügt, in einem HSON-8 Gehäuse lieferbar, das nur die Hälfte der Bestückungsfläche eines herkömmlichen TO-252-Gehäuses benötigt.

Alle 32 neuen Bausteine nutzen den neuen ANL2-Fertigungsprozess, der für einen niedrigeren Durchgangswiderstand - beim NP75N04YUK beträgt dieser nur 3,3 mΩ - und kürzere Schaltzeiten sorg. Im Gegensatz zum herkömmlichen UMOS4-Prozess bietet der ANL2-Prozess einen um ca. 40 Prozent verbesserten Gütefaktor (Figure-of-Merit; FOM).

Die Transistorenfamilie deckt einen großen Anwendungsbereich ab. Die Palette reicht von Produkten mit einem Nennstrom von 180 A, z.B. für Hochstrom-Anwendungen wie elektrische Servolenkungen, bis zu Produkten in der 35-A-Klasse, die sich zur Ansteuerung kompakter Magnetschalter eignen und umfasst Gehäuseformen für verschiedenste Bestückungskonfigurationen (SMD: TO-263-7P, TO-263, TO-252, HSON-8; THD: TO-220 und TO-262). Zur Abdeckung der unterschiedlichsten Kundenanforderungen sind darüber hinaus Bausteine mit Durchbruchspannungen von 40 und 55 V erhältlich. Alle Leistungs-MOSFETs sind gemäß AEC-Q101 qualifiziert und erfüllen die Anforderungen der RoHS.