Nexperia
GaN-FET mit hohem Wirkungsgrad
Nexperia bringt GaN-Feldeffekttransistor mit hohem Wirkungsgrad auf den Markt. Der GaN-FET wurde speziell für die Bereiche Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie entwickelt.
Mit der Vorstellung des 650-V-Feldeffekttransistors GAN063-650WSA, gab Nexperia seinen Eintritt in den Galliumnitrid(GaN)-FET-Markt bekannt. Die Gate-Source-Spannung (VGS) des FETs liegt bei ±20 V – außerdem arbeitet das Bauelement in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Der Einschaltwiderstand RDS(on) geht bis auf 60 mΩ herunter. Zusammen mit den hohen Schaltgeschwindigkeiten erreicht der GAN063-650WSA damit einen hohen Wirkungsgrad.
Der GaN-FET GAN063-650WSA ist der erste in einem Portfolio mit GaN-Bauelementen, die Nexperia speziell für die Märkte Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie entwickelt. Weiterführende Informationen zum neuen GAN063-650WSA wie zum Beispiel Produktspezifikationen und das Datenblatt, finden Sie auf der Website des Herstellers.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Nexperia
Xuezheng Zhang löst Frans Scheper als CEO ab
Stabiler Betrieb bei hohen Temperaturen
200-V-SBDs mit geringen Leckströmen
Rohm: Neuer Buck-Boost-DC/DC-Wandler
Batterien laufen länger
Schukat und Taiwan Semiconductor
15 Jahre Distributionspartnerschaft
