Produkte des Jahres 2017: Aktive Bauelemente

Kennziffer 029: CoolSiC-MOSFETs bieten höchstmögliche Effizienz in Leistungswandlungs-Designs - Eine neue SiC-MOSFET-Technoloogie hat Infineon vorgestellt. Mit seinen CoolSiC-MOSFETs will das Unternehmen eine bislang unerreichte Leistungsdichte und Leistungsfähigkeit bieten. Als erste Produkte der Familie kommen 1200-V-Bausteine im 3- oder 4-poligen TO-247-Gehäuse auf den Markt, die einen Durchlasswiderstand von nur 45 mΩ aufweisen. Die MOSFETs sind kompatibel zu den in IGBTs typischerweise genutzten +15-V/–5-V-Spannungen. Neben den CoolSiC-MOSFETs wird Infineon auch Leistungsmodule auf der Grundlage der CoolSiC-MOSFET-Technologie anbieten.