Produkte des Jahres 2017: Aktive Bauelemente

Kennziffer 028: 1000-V-SiC-MOSFET für Batterielader und industrielle Stromversorgungen - Mit einer 1000-V-Variante hat Wolfspeed, der Leistungselektronik-Bereich von Cree, sein SiC-MOSFET-Portfolio weiter ausgebaut. Durch die niedrige Ausgangskapazität von 60 pF werden die Schaltverluste signifikant reduziert und die Ausgangsleistung erhöht. Die Komponentenanzahl kann durch Verwendung des C3M0065100K nach Herstellerangaben um bis zu 30 % gesenkt werden, wenn ein Wechsel von Si-basierten Drei-Level-Topologien auf Zwei-Level-Topologien vollzogen wird. Der MOSFET mit einem Durchlasswiderstand von 65 mΩ ist im 4L-TO-247-Gehäuse mit Kelvin-Source-Anschluss untergebracht.