CMOSIS
12-MPixel-Sensor für nahes Infrarot
Seinen CMOS-Bildsensor CMV12000 bietet CMOSIS nun als Version für NIR-Anwendungen an. Ein spezieller epi-Si-Wafer-Prozess sorgt für eine höhere Quanteneffizienz oberhalb von 600 nm.
CMOSIS stellt eine für den nahen Infrarot-Bereich ausgelegte Version des CMOS-Bildsensors CMV12000 vor. Der 12-MPixel-Sensor, der eine Bildfrequenz von bis zu 300 Bildern pro Sekunde bei voller Auflösung erreicht und mit einem Global Shutter ausgestattet ist, wird in einem speziellen 12-µm-epi-Si-Wafer-Prozess gefertigt.
Die epi-Schicht ist damit um 7 µm dicker als bei Standard-Wafern, was die Quanteneffizienz für Wellenlängen oberhalb von 600 nm signifikant erhöht.
Mit seiner verbesserten Quanteneffizienz im Wellenlängenbereich von 650 bis 1000 nm adressiert die neue Version des CMV12000 anspruchsvolle Applikationen wie die TV-Übertragung, intelligentes Verkehrsmanagement sowie Machine-Vision-Anwendungen für die industrielle Automation.
Der CMOS-Bildsensor ist bereits als Muster verfügbar, die Volumenproduktion ist für Ende 2014 geplant.
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