Produkt

Powermanagement-ICs

GaN-Treiber / Universität Reutlingen

Drei Stufen geben GaN-Transistoren Sicherheit

GaN-HEMTs bieten ein enormes Potenzial für kompakte Leistungselektronik, da sie die Größe der passiven Bauelemente verringern. Allerdings bringt das schnelle Schalten Herausforderungen für den Gate-Treiber mit sich. Ein vollständig integrierter…

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© Flex Power Modules

Flex Power Modules

Neue DC/DC-Module für Industrie und Bahn

Flex Power Modules erweitert sein Angebot um neue DC/DC-Module für die Bereiche Industrie…

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© Allegro MicroSystems

Allegro MicroSystems

ASIL-konformer MOSFET-Treiber für Antriebssysteme

Mit dem AMT49105 stellt Allegro MicroSystems seinen neuesten ISO-26262-konformen…

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Batteriezellfertigung für E-Mobility

Hat Deutschland noch eine Chance?

Deutschland muss massiv und schnell in Batterietechnologien investieren – und zwar sowohl…

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Lithium-Ionen-Zellen

Den Asiaten auf den Fersen

Nach langer Dominanz von Japan, Südkorea und China bei den Zellen setzen deutsche Firmen…

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Ausgleich von Windenergieschwankungen

GS Yuasa baut eine der größten Batteriespeicheranlagen weltweit

Der Batteriehersteller GS Yuasa hat den Auftrag für eine der größten…

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© Power Integrations

Power Integrations

Halbbrücken-Motortreiber erzielt 98,5 % Wirkungsgrad

Power Integrations präsentiert mit BridgeSwitch eine Familie von Motortreiber-ICs mit…

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© Varta Microbattery

Digitalisierte Batteriezellen-Produktion

Startschuss für neues Batterie-Forschungsprojekt

Das Land Baden-Württemberg will gemeinsam mit dem Bund ein Forschungsprojekt für die…

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GaN HEMT in class E power amplifiers

Charging the wireless way

More efficiency, shorter time to charge, higher power density – those are the customer…

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© Componeers GmbH

Analog Devices 

Auf den Systemgedanken kommt es an 

Martin Cotter, VP von ADI, erklärt im Gespräch mit Markt&Technik, welche Ergebnisse die…

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