Produkt

Leistungsmodule

Power-Module mit Schaltern aus Silizumkarbid

SiC-JFETs drücken Schaltverluste

Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) haben in den letzten Jahren vor allem in Form von Freilaufdioden eine weite Verbreitung gefunden. Nun kommen auch Transistoren aus diesem Halbleitermaterial auf den Markt. Dieser Artikel beschreibt die…

Gehäusetechnologie

Parasitäten minimiert

Durch die jüngsten Fortschritte in der Halbleiter- und der Gehäusetechnologie lassen sich…

Leistungshalbleiter für Windkraftanlagen

Von Mikro- bis Megawatt

Innerhalb einer »Windmühle« ist der Umgang mit Elektrizität in einem extrem weiten…

Leistungselektronik und Automatisierungstechnik

GE Energy übernimmt Converteam

Der Geschäftsbereich Energy von General Electric (GE) wird etwa 90 Prozent des…

Niederinduktiv aufgebaut

Schaltgeschwindigkeit von IGBT-Modulen

Die Forderung in der Leistungselektronik nach hohen Wirkungsgraden bei gleichzeitiger…

Solar-Wechselrichter

Effizienter mit Siliziumkarbid

Wer sich eine Photovoltaik-Anlage aufs Dach setzt, der erwartet, dass sie mindestens 20…

Renesas Electronics

Leistungs-MOSFET mit kompakten Gehäuseformen

Die 32 neuen n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Renesas Electronics wurden speziell…

Deutsches Forschungsprojekt »NEULAND«

Mit neuen Halbleitermaterialien Energieverluste halbieren

Sechs Partner aus der Halbleiter- und Solarindustrie wollen mit dem vom Bundesministerium…

Applikationsspezifische IGBTs für Klimaanlagen

Runter mit den Temperaturen

Der häusliche Bereich stellt besondere Anforderungen an Klimaanlagen. Wichtige…

Auswahlkriterien für Leistungsschalter

»Intelligent« schalten

Mit Leistungsschaltern lassen sich in komplexen Systemen unter anderem Steuerungs-,…