Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Neue Wafer-Fab in Malaysia

Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN

Mehr als 2 Mrd. Euro investiert Infineon in ein drittes Modul am Standort Kulim, Malaysia, vor allem für die Fertigung von Produkten auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Dadurch soll auch die Resilienz der Lieferkette bei Wide-Bandgap-Halbleitern gestärkt werden.

Infineon

CoolSiC-Leistungsmodul reduziert Energiebedarf von Straßenbahnen

Effizienter Schienenverkehr ist ein Schlüssel für grüne Mobilität. Siemens Mobility und...

Europäische GaN-Foundry

BelGaN erwirbt belgische Wafer-Fab von onsemi

BelGaN hat die Waferfab von onsemi im belgischen Oudenaarde übernommen, um diese zu...

Nachhaltigkeitsbericht von Navitas

4 kg Kohlendioxid pro GaN-IC sparen

Bis zu 2,6 Gigatonnen CO2 pro Jahr oder die Emissionen von 650 Kohlekraftwerken könnten...

Cambridge GaN Devices

Rechenzentren mit Galliumnitrid »grüner« machen

Mit 400 TWh benötigen Rechenzentren etwa zwei Prozent des weltweit erzeugten...

Halbleiterfertigung in Europa

Enormer Investitionsbedarf – trotz über 150 Fabs

Entscheidet sich die EU-Kommission für die Umsetzung des »EU Chip Act«, werden in den...

Reserven nur für fünf Tage

US-Firmen gehen bald die Chips aus

Für fünf Tage nur noch reichen laut US-Handelsministerium die Halbleiterbestände von...

Ausschließlich für Leistungshalbleiter

Toshiba baut neue 300-mm-Waferfab

Im März 2021 hatte Toshiba bereits den Bau einer neuen 300-mm-Waferfab angekündigt,...

Studie von Deloitte

Auf die Chipkrise folgt der Fachkräftemangel

Weltweit haben Chiphersteller große Investitionen in neue Fabriken angekündigt, um der...

Power Integrations

InnoSwitch3 nun auch mit Siliziumkarbid verfügbar

Nachdem Power Integrations seine InnoSwitch3-Serie vor zwei Jahren mit...