Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Fuji Electric

Investitionen in die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern

Um die Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern zu erhöhen, will Fuji Electric in seinen Standort im japanischen Goshogawara (Präfektur Aomori) investieren. Der Beginn der Serienfertigung ist für das Geschäftsjahr 2024 geplant.

Themenwoche Leistungselektronik

Alle Beiträge im Überblick

Die Themenwoche »Leistungselektronik und Stromversorgung« liegt hinter uns. Hier finden...

Dr. Thomas Reisinger, Infineon Austria

»300 Millimeter is Coming Home«

Im September 2021 hat Infineon seine neue 300-mm-Waferfab in Villach eröffnet. Zu...

Prognosen von GaN Systems für 2022

Mit Galliumnitrid den Klimazielen näher kommen

Die Stromerzeugung ist für 43 Prozent der globalen Kohlendioxid-Emissionen...

GaN-on-GaN Epitaxial Wafers

IVWorks Acquires GaN Wafer Technology from Saint-Gobain

IVWorks has acquired the GaN-on-GaN epitaxial wafer business and technology from...

GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafer

IVWorks übernimmt GaN-Wafertechnologie von Saint-Gobain

IVWorks hat das Geschäft und die Technologie von GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafern vom...

Applied Novel Devices

Silizium-MOSFETs mit GaN-Performance

Weil Silizium-MOSFETs üblicherweise eine sehr hohe Rückwärtserholung haben, schalten...

Wolfspeed über Bau der nächsten Fab

»Der Bau eines Werks in Europa ist absolut realistisch«

In vier Jahren hat Gregg Lowe, CEO von Wolfspeed, das ursprüngliche Mutterunternehmen...

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

Auch wenn GaN-Bauelemente seit einigen Jahren auf dem Markt verfügbar sind, sind dies...

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

SiC und GaN richtig ansteuern

Die Leitlinien für die Gate-Ansteuerung von Silizium-MOSFETs oder -IGBTs lassen sich...