Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Elektromobilität

Bosch setzt auf Siliziumkarbid

Neuartige Mikrochips aus Siliziumkarbid sollen Elektroautos künftig länger rollen lassen. Bosch will die Produktion am Standort Reutlingen aufnehmen. Parallel nimmt die Dresdner Halbleiterfabrik Gestalt an.

Cornell University / Gallium Nitride

Efficient Two-Dimensional Hole Gas Viable

GaN power transistors today conduct currents using a two-dimensional electron gas. The use…

Cornell University / Galliumnitrid

Effizientes zweidimensionales Löchergas machbar

Heutige GaN-Leistungstransistoren leiten Ströme mithilfe eines zweidimensionalen…

Fraunhofer IZM / Elektromobilität

Siliziumkarbid-Halbleiter in Keramiksubstrate einbetten

Seit vielen Jahren wird an Siliziumkarbid als Material für Leistungshalbleiter geforscht.…

Fraunhofer IZM / Electromobility

Embedding SiC Semiconductors into Organic Substrates

Silicon carbide, a novel power semiconductor material, has been investigated for years.…

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2019

Trench-SiC-MOSFET mit niedrigstem spezifischem On-Widerstand

Nur 1,84 mΩ/cm² hat der neue Trench-SiC-MOSFET, den Mitsubishi Electric auf der ICSCRM…

更新后的产能扩张计划

Cree 将在纽约建立世界上最大的碳化硅晶圆厂

2019 年 5 月，Cree 宣布以 10 亿美元的投资在五年内将碳化硅晶圆的产能提高 30 倍。现在，该公司扩大了计划，将在纽约州建立世界上最大的碳化硅晶圆制造厂。

Aktualisierter Kapazitätsausbauplan

Cree errichtet weltgrößte SiC-Wafer-Fab in New York

Im Mai 2019 hatte Cree angekündigt, mit einer Investition von 1 Milliarde Dollar die…

Delphi und Cree

Kooperation für kürzere Ladezeiten

In Delphis DC/DC-Wandlern und Ladegeräten werden zukünftig SiC-Halbleiter eingesetzt. Mit…

Stromversorgung

Akkulade-IC mit branchenweit niedrigstem Ladeschluss-Strom

Die neue Akkulade-IC von Texas Instruments mit niedrigem Ladeschluss-Strom sorgt für eine…