GaN power transistors today conduct currents using a two-dimensional electron gas. The use of holes to do so has been considered as inefficient. Cornell researchers have now invented a technique to create an efficient two-dimensional hole gas.
Heutige GaN-Leistungstransistoren leiten Ströme mithilfe eines zweidimensionalen…
Seit vielen Jahren wird an Siliziumkarbid als Material für Leistungshalbleiter geforscht.…
Um Bildverarbeitungssoftware für Embedded-Systeme zu entwickeln, muss der Entwickler…
Silicon carbide, a novel power semiconductor material, has been investigated for years.…
Nur 1,84 mΩ/cm² hat der neue Trench-SiC-MOSFET, den Mitsubishi Electric auf der ICSCRM…
Physiker und Informatiker der ETH Zürich hat einen neuen Zugang zum Problem der dunklen…
»Starship« und »Super Heavy« von SpaceX sollen Menschen zum Mond und zum Mars fliegen.…
Forscher vom MIT haben Sensoren mit Photovoltaik ausgestattet. Auf RFID-Tags stellen sie…
A molecular bridge based on graphene electrodes that is stable at room temperature…