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Forschung und Lehre

Dreifache Durchbruchfeldstärke

SweGaN entdeckt neues Epitaxie-Verfahren für GaN auf SiC

Galliumnitrid auf Siliziumkarbid epitaktisch aufzuwachsen ist zwar nicht so komplex wie auf Silizium, aber trotzdem nicht trivial. Zufällig stellten Entwickler bei SweGaN fest, dass ihre GaN-on-SiC-Transistoren dreimal höhere Feldstärken verkraften, als erwartet. Nun wissen sie, warum.

Technische Universität Wien

Elastische Grenzschicht für bessere Lithium-Ionen-Akkus

Ein vielversprechender Weg, die Speicherkapazität von Li-Ion-Akkus zu vergrößern, ist...

Das Gehirn als Vorbild

Memristoren für neuromorphe Computer

Mit 13 Mio. Euro unterstützt die Bundesregierung »neuro-inspirierte Technologien der...

Imec-Campus

Mit Imec zur eigenen Forschungsgruppe

Tenure Track ermöglicht es Forschern ihr eigenes Labor auf dem Imec-Campus zu gründen....