Produkt

Flüchtige Speicher (DRAM,SRAM)

Innotron Memory

2,4 Mrd. Dollar für chinesische HBM-DRAM-Fab

Die chinesische Innotron Memory, zu der Speicher-IC-Hersteller CXMT gehört, will 2,4 Mrd. Dollar in ein Advanced-Packaging-Werk in Shanghei investieren. Dort sollen High-Bandwidth-Memories (HBMs) gefertigt werden.

KI-Boom

Micron baut HBM-Kapazitäten aus

Micron Technology baut eine Pilotlinie für die Fertigung von High-Bandwidth Memories...

Nachfrage steigt enorm

Führt der HBM-Boom zur DRAM-Knappheit?

Die führenden Hersteller fahren die Zahl der Wafer für die Fertigung der neusten...

30 Prozent Marktanteil in 2025

Der HBM-Nachfrage explodiert, die Preise steigen

Der Preis für High Bandwidth Memories (HBM) wird 2025 laut TrendForce um 5 bis 10...

Dank KI-Boom

HBMs von SK hynix auf zwei Jahre ausverkauft

Die HBM-DRAMs von SK hinix sind für 2024 komplett und für 2025 fast ausverkauft. Ab dem...

Ökosystem für intelligente Autos

Micron: KI-Automotive-Plattformen für Qualcomm

Die Arbeits- und Datenspeicher von Micron für die Automobilindustrie ermöglichen...

Semiconductor Industry Association

Chip-Umsatz: Plus 16,3 Prozent im Februar

Laut der SIA hat der weltweite Umsatz mit Halbleitern im Februar 2024 46,2 Mrd. Dollar...

Microchip Technology

Schnelle serielle 2- und 4 Mb-SPI/SQI-SRAMs

Microchip hat seine seriellen SRAMs um größere Dichten und eine höhere...

Technik und revolutionärer Test

Expertenmeinung zu Speicherprodukten speziell für die Industrie

Mit dem Fokus auf Speicher-IC- und Modul-Anwender aus der Industrie, mit dem...

14 Prozent Marktanteil

Plus 260% mehr HBM-DRAM-Bits in 2024

Um 260 Prozent pro Jahr wird die Kapazität für DRAM-High-Bandwidth-Memory laut...