Produkt

Flüchtige Speicher (DRAM,SRAM)

رينيساس إلكترونيكس

ذاكرة TCAM بدقة ‎3‎ نانومتر مخصّصة لتطبيقات السيارات

كشفت شركة رينيساس إلكترونيكس عن جيل جديد من ذاكرة TCAM القابلة للتهيئة (Ternary Content Addressable Memory) مزوّد بقدرات أمان وظيفي محسّنة، ما يجعله مناسبًا للاستخدام في الأنظمة الإلكترونية الخاصة بالمركبات.

DRAMs statt NAND-ICs

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Renesas Electronics

3-nm-TCAM für Automotive

Ihr neues konfigurierbares Ternary Content Addressable Memory (TCAM) hat Renesas...

MEMPHIS gibt Einblicke

Speicher-IC-Roadmaps und Verfügbarkeiten

Auf der embedded world 2026 wird MEMPHIS Electronic Entwicklern, Einkäufern und...

Eine neue Fab in Magdeburg?

Halbleiterspeicher made in Germany

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Silvio Muschter, CTO von Swissbit

»Der Memory-Supercycle schafft die falschen Engpässe!«

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DRAMs und NAND-Chips bleiben 2026 knapp

Strategische Herausforderungen und Versorgungssicherheit

Der Memory-Superzyklus ist längst Realität: Branchenanalysen gehen davon aus, dass 2026...

Kurz vor der Nvidia-Qualifizierung

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Die größte Fab der USA

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