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Von SiC und GaN

E-Mobility und 5G als Treiber

11. Juli 2019, 11:42 Uhr | Engelbert Hopf

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Fortsetzung des Artikels von Teil 2

Umsatzanteil am Leistungshalbleitergeschäft

Auch wenn SiC in Zukunft sicher einen größeren Umsatzanteil am Leistungshalbleitergeschäft haben wird, so basiert der überwältigende Teil des Leistungshalbleitergeschäfts aber immer noch auf klassischen Siliziumlösungen. Aus diesem Grund hat sich On Semiconductor am 22. April dieses Jahres die ehemalige 300-mm-Fab von Globalfoundry in East Fishkill/New York gesichert. In den nächsten drei Jahren wird das Werk nun von einer 45-nm- auf eine Leistungshalbleiterfertigung umgerüstet. »In drei Jahren produzieren wir dort dann MOSFETs und IGBTs und treffen damit zeitlich genau den wachsenden Bedarf des EV-Marktes«, erläutert Klausner.

Fortschritte bei der Umstellung von 4- auf 6-Zoll-Wafer bei der SiC-MOSFET-Herstellung meldet auch Panasonic. Dort läuft die Produktion der SiC-DioMOS-Bauteile (MOSFETs mit integrierter Diode) inzwischen auf 6-Zoll-Wafern, wie Francois Perraud, Teamleiter Power and Automotive Solutions bei Panasonic Industry, berichtet. Für die 1200-SiC-Module gibt es nach seiner Auskunft inzwischen eine Reihe von Tier-1- und OEM-Kunden aus dem Automobilbereich.

Im Bereich seiner GaN-Leistungshalbleiter-Aktivitäten ist Panasonic derweil zur Bemusterung von Ladegeräteherstellern übergegangen. Für den Beginn des nächsten Jahres kündigt Perraud einen 650-V-GaN-Leistungshalbleiter mit 35 mΩ Einschaltwiderstand an. Noch im Prototypenstadium befindet sich nach seinen Worten derzeit ein bidirektionaler GaN-Leistungshalbleiter.

Ein kompaktes 65-W-USB-3.0-Ladegerät und eine platzsparende PFC-Schaltung für Leistungsbereiche von 300 W bis 1,5 kW zeigte auf der PCIM auch Exagan. Mit dem neu eröffneten Power Solutions Center in Toulouse will das Unternehmen nach den Worten seines CEO und President Frédéric Dupont vor allem seinen Applikations-Support unterstützen. Bezüglich der Marktpenetration von GaN-Leistungshalbleitern zeigten sich Perraud und Dupont sehr angetan von GaNdalf, einem GaN-Leistungshalbleiterbasierten Power-Correction-Development-System, das von Future Electronics angeboten wird.

Dr. Alex Lidow, CEO und Mitgründer des GaN-Leistungshalbleiter-Pioniers EPC, zeigt sich in Nürnberg überzeugt davon, »dass der Übergang zur 48-V-Architektur im Automotive-Bereich GaN-Leistungshalbleitern den Weg in zahlreiche neue Applikationen im Automotive-Bereich ebenen wird«. Lesen Sie dazu das Interview mit Dr. Lidow auf S. 19 in diesem Heft.

Dass es auch abseits von SiC und GaN immer noch interessante Neuheiten im Leistungshalbleiterbereich gibt, zeigt das Beispiel Pre-Switch. Im letzten Jahr hatte das Startup noch erste Prototypen seiner Pre-Flex-Technologie vorgestellt, in diesem Jahr nun präsentierte CEO Bruce Renouard nicht nur den ersten Leitkunden aus dem EV-Bereich, er erläuterte auch die Technologie hinter Pre-Switch. Sie ist FPGA-basiert, KI-getrieben, lernt und passt sich innerhalb des Systems an. Im Ergebnis wird so eine konsistent sanfte Resonanzschaltanwendung über wechselnde Lasten, Eingangsspannungen, Temperaturen und Fertigungstoleranzen hinweg erzwungen.