Infineon hatte wohl einen der schönsten virtuellen Messestände der electronica, das Halbleiterunternehmen hatte eine komplett eigenständige Veranstaltung auf die Beine gestellt. Drei Tage Live-Programm aus dem virtuellen Kubus am Campeon in Neubiberg, mit echtem Moderator, Yoga-Stunden am Morgen und DJ-Sets zwischen den Experten-Vorträgen und Diskussionsrunden gestalteten ein beeindruckendes digitales Messe- Erlebnis. Besonderes Highlight bei Infineon war unter anderem der neue VW ID.4, als Hingucker prominent platziert direkt vor dem so typischen Seeblick am Campeon. Das Unternehmen zeigte sich sichtlich stolz, das in 15 der 20 erfolgreichsten Elektroautos Infineon-Technologie im Antriebsstrang verbaut ist.
Sarah Debler leitet das Infineon Produktmanagement für automobile Power-Module und stellte das Hybridpack Drive vor, welches über Valeo im Hinterradantrieb des ID.3 und ID.4 arbeitet. Die IGBT-basierte Komponente ist mit über 1 Million ausgelieferten Stück eines der erfolgreichsten Power-Module am Markt. Silizium-basiert ist es für Plattformdesgins in der 150 kW-Klasse von Vollstromern ausgelegt. Mit einem gleichen Footprint, gleichem Chip und Standard-Keramik (ThinFin-Bodenplatte für hohe Ströme und hohe Last) kann der Halbleiterbaustein mit 750 V Sperrspannung für 400-V-Batterien und mit 1200 V Sperrspannung für 800-V-Batterien und Schnellladung genutzt werden.
Als electronica-Highlight ist die automobile Komponente nun auch auf Siliziumkarbid-Basis (SiC) erhältlich. Aus dem gleichen Power-Module sind so ohne mechanisches Re-Design 300 kW Leistung möglich. Für den Batterie-Umrichter in Elektrofahrzeugen können Hersteller also überlegen, ob sie bei gleicher Batteriegröße bis zu 8 % mehr Reichweite erzielen möchten oder die Batterie verkleinern. Denn: Eine höhere Schaltfrequenz ist einer der wichtigsten SiC-Vorteile, doch das boomende Halbleiterelement spielt seine Vorteile auch bei den passiven Bauelementen aus: Spulen und Kondensatoren können mit SiC-MOSFETs kleiner werden und damit auch das Design beeinflussen.
Infineon investiert aktuell sehr viel in den Ausbau seiner Produktpalette mit dem boomenden Halbleiter Siliziumkarbid. Pünktlich zur electronica wurde bekannt, dass das Unternehmen einen Liefervertrag mit GT Advanced geschlossen hat. Zunächst für 5 Jahre wird Infineon SiC-Boules von GTA beziehen. Mit seiner proprietären Cold Split-Methode für das besonders dünne und damit effiziente Schneiden von SiC-Wafern kann Infineon auf Qualität setzen, gerade im Automobilbereich mit seinen langen Produktzyklen ein äußerst wichtiges Kriterium. Immerhin werden im Zuge des Ausbaus der Elektromobilität und der rasant wachsenden Modellpalletten bald Millionen von Autos mit Infineons Technologie auf den Straßen unterwegs sein.