Halbleiter

Das duale NX-SiC-Modul

Effizienz und Kompatibilität

Gehäuse, die noch aus der Si-IGBT-Ära stammen, hemmen den Übergang zu Leistungsmodulen auf Basis der SiC-MOSFETs, da sie hohe parasitäre Induktivität aufweisen. ­Mitsubishi Electric löst das Problem mit einem modifizierten NX-Gehäuses mit einer internen, für SiC-MOSFETs geeigneten Busbar-Struktur.

Leistungshalbleiterbranche ist abgekühlt

Rückkehr zum Wachstum und neue Chancen durch KI

Nach Jahren des Wachstums plötzlich Bremsspuren. Eine sinkende Nachfrage nach E-Autos...

Evaluation-Board ist auch verfügbar

500-V-Leistungsstufe für kleinere und robustere Antriebe

Um die Entwicklung kompakter und zuverlässiger Lüfter und Pumpen mit energieeffizienten...

Auf Basis der 8051-Architektur

Mit optimierter 8-bit-MCU im Rennen bleiben

Auch ressourcenbeschränkte Geräte benötigen immer höhere Geschwindigkeiten und...

Vorstoß von Wirtschaft und Verbänden

Sollen die Intel-Milliarden zur Strompreissenkung genutzt werden?

Aus dem Bau der Intel-Fabrik in Magdeburg wird erstmal nichts, nun wird über die...

Aktuatoren und Mechatronik

Zeiss SMT kauft Lithografie-Spezialisten

Die Sparte Semiconductor Manufacturing Technology (SMT) von Zeiss kauft die Division...

Leistungsdichte bis zu 140 W/Inch3

400-V-CoolSiC-MOSFETs eröffnen hohe Effizienz

Um KI-Server- und Telekommunikationsnetzteile mit Ausgangsleistungen von 5,5 bis 8 kW...

Aerospace/Defense/5G

GaN-on-SiC-Leistungsverstärker für höchste Ansprüche

Es gibt Anwendungen, die extrem hohe Anforderungen an die genutzten Leistungsverstärker...

WEKA Ad Award 2024

Die besten Motive der Elektronik-Branche

Lassen Sie sich von diesen beeindruckenden Beispielen inspirieren und erfahren Sie mehr...

Toshiba Electronics Europe

Jetzt steht dem Erfolg nichts mehr im Weg

Toshiba hat bewegte Zeiten hinter sich, auch im Halbleitersegment. Armin Derpmanns,...