Halbleiter

Interview mit Jochen Hüskens, Rohm Semiconductor

Gräben machen Siliziumkarbid besser

Die Trench-Technik gibt es bei Silizium-MOSFETs schon lange. Bei Schaltern aus Siliziumkarbid ist das jedoch eine Neuheit. Wir fragten Jochen Hüskens, Marketing Product Manager bei Rohm Semiconductor, inwiefern die Trench-Technik SiC-Bauteile besser…

IMEC-Fellow kommentieren das mooresche Gesetz -…

»Wir brauchen den Übergang von 2D-SoC auf 3D-SoC.«

Bisher genügten die technischen Fortschritte zur rein zweidimensionalen Miniaturisierung…

IMEC-Fellow kommentieren das mooresche Gesetz -…

»Mooresches Gesetz gilt auch für die Dünnschicht-Elektronik«

Das Gesetz von Gordon Moore ist nur eine auf die Mikroelek­tronik angewandte Variante des…

GaN Systems kooperiert mit TSMC

Massenproduktion von GaN-on-Si-Transistoren angelaufen

GaN Systems hat bekanntgegeben, dass seine Foundry TMSC die Fertigung von Produkten auf…

IEDM 2015

Neuromorphes System für SNNs

IBM hat einen neuromorphen Core mit einer 64-K-PCM-Zelle (Phase Change Material) als…

Mikroelektronik

Tapeout des ersten 5-nm-Test-Chips

Das Forschungszentrum imec und die Firma Cadence haben gemeinsam das erste Tapeout eines…

Transcend

2-GByte-DDR4-Module reduzieren Kosten

Transcend Information bietet ab sofort auch industrielle DDR4-Speichermodule mit einer…

IEDM 2015

Speicher gehen in die dritte Dimension

Traditionell ist das IEDM die führende wissenschaftliche Halbleiter-Konferenz für…

IEDM 2015

Quanten-ICs kurz vor der Realisierung

Michelle Simmons, Professorin am Centre of Excellence for Quantum Computation and…

IEDM 2015

Ist das mooresche Gesetz am Ende?

Auf der diesjährigen IEDM-Konferenz des IEEE in Washington DC steht u.a. die Frage nach…