Halbleiter

AF-MERAM als MRAM-Alternative

Forschern aus Dresden und Basel gelingt Durchbruch

Forschern vom Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf und der Universität Basel gelingt Durchbruch bei nichtflüchtigem MERAM. Ein funktionsfähiger Prototyp auf Basis Chromoxid kommt bei magnetischen Speichern ohne die bislang nötige Cobaltschicht aus.

FAZ-Umfrage

Wirtschaft beurteilt Trump optimistischer als Politik

50 Prozent der Politiker glauben, dass der deutschen Wirtschaft durch Donald Trump als…

Arrow und HandsOn-Training kooperieren

Teamarbeit bei FPGA- und ARM-Schulungen

Arrow Electronics arbeitet in Europa zukünftig mit Hands-On-Training zusammen, um…

»Ein Feinstaub-Sensor wäre der Knüller«

Consumer- und Automotive-MEMS: 5% Plus

Im neuen Jahr könnte das Umsatzvolumen der MEMS-Branche auf 13 Mrd. Dollar steigen.…

Analog Devices

Welcher Verstärker ist denn nun der richtige?

Wie findet der Entwickler den passenden Verstärker für sein Analoges Frontend für…

Neue 700-V-CoolMOS-Familie

Für quasiresonante Flyback-Topologien

Infineon präsentiert die 700-V-MOSFET-Familie CoolMOS P7, die sowohl bestehende als auch…

Spintronik

Auszeichnung für Würzburger Physiker

Der Würzburger Physiker Laurens Molenkamp hat den König-Faisal-Preis 2017 in der Sparte…

Imagination Technologies

GPUs für die Mittelklasse

Die PowerVR »Series8XE Plus«-GPUs von Imagination Technologies bieten laut…

Radio-Empfänger-IC

Für den Bau ferngespeister Tuner

Mit dem Empfänger-IC MAX2175 bietet Maxim Integrated Products Entwicklern von…

Für Motorräder und Industrie

Hochtemperaturfeste Leistungsschalter

Die von STMicroelectronics auf den Markt gebrachten SCRs (Silicon-Controlled Rectifiers)…