Halbleiter

IEDM 2016, San Francisco

7-nm-CMOS-Plattformen mit FinFETs

Die Skalierung von Halbleitern geht weiter. Auf der IEDM 2016 wurden zwei Papers präsentiert, die komplette 7-nm-FinFET-CMOS-Plattformen zeigen. Während TSMC noch auf konventionelle Lithographie setzt, basiert die Plattform der Allianz…

Im Übernahmefieber

Marktanteile der Top-IC-Hersteller steigen kräftig

Die Konsolidierung in der Halbleiterindustrie lässt die Marktanteile der größten Firmen…

US-Bedenken verhindern Deal

Chinesen wollen Aixtron doch nicht

Fujian Grand Chip Investment will Aixtron nicht mehr, das bedeutet harte Einschnitte.

Nantero: Zuspruch für Nanotubes

21-Millionen-Dollar-Finanzspritze für Speicherspezialisten

Das Vertrauen der Investoren in Nanteros Speichertechnologie Carbon-Nanotubes hält an,…

Micron: Hochkapazitive Solid-State-Disks

SATA-SSD-Familie mit bis zu 8 Terabyte

Die derzeit höchste am Markt verfügbare Speicherkapazität der SATA-SSDs bietet Microns…

Universitäten Manchester und Nottingham

Ultradünne InSe-Halbleiter könnten Moore's Law fortschreiben

Nach einem Jahrzehnt intensiver Forschung bei Graphen zeigt ein neues Halbleitermaterial…

Powermanagement optimieren

MCU-Energieaufnahme ohne Software regeln

Bei Auswahl, Etablierung und Markterfolg eines Systems ist der Energiebedarf ein…

Micron

Übernahme von Inotera ist abgeschlossen

Der US-amerikanische Speicherspezialist Micron Technology hat die Akquisition der…

IEDM 2016 / Tokyo Tech

Verkleinerung von IGBTs senkt Leitverluste um 25 Prozent

Auf der IEDM konnten Forscher des Tokyo Institute of Technology zeigen, dass sie die…

IEDM 2016

Renesas zeigt MONOS-Flash mit FinFETs bis 14 nm

Auf der IEDM hat Renesas Split-Gate-MONOS-Flash-Speicherzellen mit Transistoren in…