Elektronik-Zeitreise
Schnelle Si-Dioden nach dem Ionen-Einpflanzungsverfahren
Einen erheblichen Fortschritt gegenüber diffundierten Silizium-Dioden stellten Dioden dar, die mittels Ionen-Einpflanzungsverfahren hergestellt wurden. Hier ein Produkt des Herstellers Isofilm International aus dem Jahr 1969.