Halbleiter

Rohm Semiconductor

150-V-GaN-Transistor mit 8 V Gate-Spannung

Galliumnitrid-Transistoren reagieren äußerst empfindlich auf zu hohe Gate-Spannungen. Nun hat Rohm einen 150-V-GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistors) entwickelt, der mit einem Nennwert von 8 V für die Gate-Spannung spezifiziert ist. Muster…

Seltsam stabile Verschränkung

Neue Hoffnung für Quantencomputer

Ein System aus zwei verschränkten Atomen hat sich selbst unter Elektronenbeschuss als…

Imec und Aixtron

GaN-Epitaxie für 1200-V-Anwendungen demonstriert

Das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid-Pufferschichten für 1200-V-Anwendungen auf…

Hardwarebasierter Sicherheitsprozessor

Vertrauen und Sicherheit für das IoT der Zukunft

Das IoT wächst rasant, dadurch entstehen aber auch neue Angriffsflächen. Um…

Kioxia

Neues Forschungszentrum

Die Kioxia Corporation investiert 150 Mio. Euro in das neue Shin-Koyasu Advanced Research…

Die Top 15 Chiphersteller

AMD-Umsatz explodiert um 93 %

Um nicht weniger als 93 Prozent springt der Umsatz von AMD im ersten Quartal in die Höhe,…

Speicher-ICs

220 Mrd. Dollar in 2022

Der Umsatz mit Speicher-ICs wird im kommenden Jahr mit 180,4 Mrd. Dollar den Rekordwert…

Vorbild ist Apple Store

Google will seinen ersten Laden eröffnen

Google gab bekannt, dass das Unternehmen in Chelsea (New York) seinen ersten Laden…

Deutsche Elektroexporte

Wachstum im Vergleich zum Vorjahr: +3,4 Prozent

Die Exporte der deutschen Elektroindustrie sind im März 2021 um 12,2 Prozent gegenüber…

Simulationssoftware

Schneller und präziser als FastSPICE

Seinen Schaltungssimulator Spectre FX hat Cadence von Grund auf neu entwickelt. Mit ihm…