Halbleiter

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für Leistungsbauelemente mit einem Durchmesser von 150 mm hergestellt. Ziel ist es, den Durchmesser noch weiter zu vergrößern.

Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

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Sensoren für Temperatur- und Druckdaten

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Smarte Sensoren

Kundenspezifische ICs gegen Abkündigungen

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QuiX Quantum

Größter photonischer Quantenprozessor

Den größten photonischen Quantenprozessor hat QuiX Quantum vorgestellt: mit 20...

Kongress und Ausstellung live in München

Gedruckte Elektronik als Innovationstreiber

An der gedruckten Elektronik führt in der digitalisierten, vernetzten Welt der Zukunft...

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Speicher sollen in diesem Jahr die Verlierer sein

WSTS hat seine endgültigen Zahlen zum weltweiten Halbleitermarkt 2021 und seine...

Netzverstärkung

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Erdbeben in Japan

Die Auswirkungen auf die Lieferkette

Nach dem Beben gab es Stromausfälle, viele Werke stellten den Betrieb ein. Inzwischen...

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Hochschule nicht fit für Intel-Ansiedelung

Für Uni-Absolventen im Land gibt es mit dem großen Chipwerk von Intel gute...