Halbleiter

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale. Daher war es bisher nicht üblich, beides monolithisch zu integrieren. Allerdings könnte dies Hochleistungswandler mit Siliziumkarbid noch besser machen. Japanische Forscher des AIST melden nun einen Erfolg.

Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu...

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden...

Halbleiter-Ranking 2021

Samsung rückt Intel dicht auf die Fersen

Samsung hat Intel fast eingeholt: Während die Koreaner 2021 rund 32 Prozent an Umsatz...

Kioxia

Neue Fab für 3D-Flash-Speicher

Kioxia Europe baut ab April eine neue Fertigung (Fab2) für ihre 3D-Flash-Speicher »BiCS...

PragmatIC Semiconductor

Erste 300-mm-Fab für Plastik-Chips

PragmatIC baut in Durham ihre erste 300-mm-Fab für die Fertigung von sehr...

Strategisches Obsoleszenzmanagement

Der Weg zu mehr Lieferkettenstabilität

In Krisenzeiten wie jetzt zeigt sich: Das frühere Ideal »Lean Logistics« ist keine...

Hard-/Software und Tools

Eine hohe Gerätesicherheit ist ein absolutes Muss

IoT-Geräte müssen wirksam gegen Angriffe geschützt werden. Die richtige Hardware kann...

Neuer Rekordumsatz

Fab Equipment springt um 17 Prozent

Um 17 Prozent auf 107 Mrd. Euro wird der Umsatz mit Equipment für die...

Winbond

64-Mb-NOR-Flash-ICs für Consumer-Produkte

Mit einer 64-Mb-Version erhöht Winbond die Speicherkapazität der neuen...