Halbleiter

Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil diese auf sehr kostengünstigem Siliziumwafern gefertigt werden können. Odyssey Semiconductor hat nun zwei Meilensteine bei der Entwicklung vertikal leitender…

SK hynix

»Wir wollen ARM kaufen«

SK hynix prüft die Übernahme von ARM, wahrscheinlich im Rahmen eines noch zu bildenden…

Kompakt und vielseitig

Neues Speicherkartensystem macht Geräte zukunftssicher

Konsumelektronik wird schnell unbrauchbar – nicht weil sie nicht mehr funktioniert,…

Quantencomputer

Jetzt kommen die kommerziellen Anwendungen

Quantencomputer werden sich schon in drei bis vier Jahren in kommerziellen Einsätzen…

Wireless Power nach Qi 1.3

Secure Elements für die Authentifizierung

Für die Sicherheitsanforderungen des Wireless-Power-Standards Qi 1.3 hat Microchip…

Apacer

SSDs für 5G und Smart Health

Die neue PCIe Gen4 x4-SSD von Apacer ist die derzeit schnellste industrielle M.2 SSD und…

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale.…

Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu fertigen.…

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden zu…

Halbleiter-Ranking 2021

Samsung rückt Intel dicht auf die Fersen

Samsung hat Intel fast eingeholt: Während die Koreaner 2021 rund 32 Prozent an Umsatz…