SiC-MOSFETs mit 1700 V Sperrspannung
Keine Kompromisse mehr nötig
Bei leistungselektronischen Anwendungen mit hohen Spannungen müssen Entwickler eine Reihe Kompromisse eingehen, wenn sie siliziumbasierte Bauelemente einsetzen – besonders beim Wirkungsgrad und der Größe. Seitdem SiC-MOSFETs mit 1700 V Sperrspannung…