Halbleiter

200-V-DirectFET-MOSFET

International Rectifier bringt mit dem IRF6641TRPbF einen Power-MOSFET auf den Markt, der in Verbindung mit IRs DirectFET-Packaging-Technologie und IRs 200-V-HEXFET-MOSFET-Siliziumtechnologie einen Wirkungsgrad von 95 Prozent erreicht.

200-V-DirectFET-MOSFET

International Rectifier bringt mit dem IRF6641TRPbF einen Power-MOSFET auf den Markt, der…

Schnelle Bipolar Junction-Transistoren

Eine besonders niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) zeichnet die gerade auf den Markt…

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Schnelle Bipolar Junction-Transistoren

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3-A-BISS-Loadswitches

In herkömmlichen Schaltungen werden zur Realisierung der gewünschten…

3-A-BISS-Loadswitches

In herkömmlichen Schaltungen werden zur Realisierung der gewünschten…

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In herkömmlichen Schaltungen werden zur Realisierung der gewünschten…

Achtfach eigensichere FET-Treiber

Zur Ansteuerung von Logic-FETs sowie N- und P-Kanal-Leistungs-FETs dienen die monolithisch…

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Zur Ansteuerung von Logic-FETs sowie N- und P-Kanal-Leistungs-FETs dienen die monolithisch…