4-GBit-DRAM-Speicherbaustein für mobile Applikationen
Samsung startet Volumenfertigung des 20-nm-Speichers
Die koreanische Samsung Electronics hat die Produktion des »Mobile LPDDR2 Memory« aufgenommen, des industrieweit ersten 4-GBit-DRAM-Speicherbausteins auf Basis der 20-nm-Klasse-Technologie.
Bei Speicherprodukten für mobile Anwendungen setzt Samsung seit 1 Jahr auf 4-GBit-Chips der 30-nm-Klasse (Strukturbreite 30 bis 39 nm), nun folgt bei der 20-nm-Klasse (Strukturen zwischen 20 und 29 nm) binnen Jahresfrist schon eine weitere deutliche Reduzierung der Strukturbreite. Mit diesen »Low-Power Double-Data-Rate 2«-Bausteinen will der koreanische Halbleitergigant laut Wanhoon Hong, Executive Vice President Memory Sales&Marketing bei Samsung, »den Großteil des ‚Advanced Memory’-Markts erobern«. Bereits in der zweiten Jahreshälfte werde man den DRAM-Anteil der 20-nm-Klasse an der gesamten DRAM-Produktion »erheblich steigern, um die neue 4-GBit-DRAM-Linie zum Mainstream-Produkt der DRAM-Fertigung zu machen«.
Der neue DRAM-Chip ist so dünn, dass darauf basierende 2-GByte-Bausteine nur 0,8 mm dick sind, wobei vier 4-GBit-LPDDR2-Chips in einem LPDDR2-Gehäuse übereinander gestapelt werden. Gegenüber 2-GByte-Lösungen auf Basis der 30-nm-DRAM-Chips sind sie 20 Prozent dünner, zudem werden Daten nun mit 1,066 MBit/s übertragen, benötigen dabei aber nur die gleiche elektrische Energie bisheriger 2-GByte-Modelle der 30-nm-Klasse.
Den Marktforschern von IHS iSuppli zufolge wird die Zahl der verkauften 4-GBit-DRAMs stetig steigen: Für 2012 prognostizieren die Analysten einen Anteil von etwa 13 Prozent am gesamten DRAM-Markt, 2013 sind es bereits 49 Prozent und 2014 sogar 63 Prozent.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
