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Neue Speicherfabrik und F&E-Zentrum

09. Februar 2017, 17:40 Uhr   |  Gerhard Stelzer

Neue Speicherfabrik und F&E-Zentrum
© Toshiba

So wird die neue Fab 6 von Toshiba für 3D-Flash-Speicher in Japan aussehen.

Dem wachsenden Bedarf an Flash-Speicher-Chips begegnet Toshiba mit dem Bau einer neuen Speicherfabrik in Japan. Gleichzeitig werden in einem ebenfalls neuen, benachbarten Forschungs- und Entwicklungszentrum die Flash-Technologien weiterentwickelt.

Die Toshiba Corporation hat mit dem Bau einer neuen Halbleiter-Fabrik für Speicherchips am Standort Yokkaichi in der Präfektur Mie begonnen. Diese neue Fab 6 entsteht zusammen mit einem neuen Forschungs- und Entwicklungszentrum auf dem Hauptcampus für die Flash-Speicherherstellung des Unternehmens. In der Fab 6 sollen ausschließlich 3D-Flash-Speicher in Toshibas BiCS-Prozess (Bit Cost Scalable) hergestellt werden. Wie schon bei Fab 5 wird der Bau in zwei Phasen erfolgen, so dass sich die Investitionen am Bedarf des Marktes orientieren können. Der Abschluss der Phase 1 ist für Sommer 2018 geplant. Die installierte Fertigungsausrüstung und auch die Fertigungskapazität richten sich dabei eng nach den Marktbedürfnissen.

Direkt neben der neuen Fab 6 wird auch das neue F&E-Zentrum errichtet, das im Dezember 2017 in Betrieb gehen soll. Dort werden die BiCS-Flash-Prozesse weiterentwickelt aber auch Forschungsarbeiten an neuen Speicher-Technologien stattfinden.

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