Leistungshalbleiter

STMicroelectronics

Superjunction-MOSFETs mit 1500 V

Eine Palette von Leistungstransistoren mit dem Gehäusetyp »TO-220 FullPAK« mit vergrößerter Kriechstrecke hat STMicroelectronics vorgestellt. Unter anderem zählt dazu ein Superjunction-MOSFET mit einer Sperrspannung von 1500 V.

Rohm: Interview mit SiC-Chef Dr. Ino

Siliziumkarbid weiter auf dem Vormarsch

Momentan blicken alle auf Galliumnitrid. Hat Siliziumkarbid etwa nichts Neues zu bieten?…

Interview mit Dr. John Palmour

Siliziumkarbid ist kostengünstiger als Silizium

Seit über dreißig Jahren beschäftigt sich John Palmour mit Siliziumkarbid. Wir sprachen…

STMicroelectronics Verbindungshalbleiter

SiC und GaN sind Silizium auf den Fersen

In einzelnen Bereichen der Leistungselektronik konkurrieren SiC und GaN schon mit…

Interview mit Alex Lidow, CEO von EPC

»Ich hasse Gehäuse!«

Alex Lidow ist eine der schillerndsten Figuren der Leistungselektronik. Mittlerweile hat…

Rohm Semiconductor

Subsysteme für IoT und Leistungselektronik

Mit der Kombination aus großer Fertigungstiefe und den strategischen Übernahmen der…

Synchrone DC/DC-Buck-Leistungsstufe

DrMOS-Modul ist kompatibel zu IMVP8

Beim AOZ5049 handelt es sich um ein von AOS vorgestelltes DrMOS-Leistungsmodul im…

Für USVs und Solarwechselrichter

Ultra-Field-Stop-IGBTs

ON Semiconductor präsentiert basierend auf der dritten Generation seiner…

Geringere Schaltverluste

600-V-IGBTs für hart schaltende Topologien

Auf Basis seiner Trenchstop-Technik führt Infineon diskrete IGBTs mit 600 V Sperrspannung…

Vier Konstantstrom-Kanäle

DMOSFET-Arrays mit 1,5-A-Senkenausgangstreiber

Mit den Serien TBD62064A und TBD62308A präsentiert Toshiba erstmals DMOSFET-Arrays, die…