Bislang produzieren nur drei ausländische Unternehmen signifikante Volumina in China: SK Hynix, TSMC und Intel. Laut IC Insights wies die chinesische Fab von SK Hynix im letzten Jahr die größten Produktionskapazitäten auf. Letztes Jahr hat Intel angefangen, seine 300-mm-Fab in Dalian hochzufahren. Diese Fab soll der chinesischen IC-Produktion in den nächsten Jahren zum Großteil das prognostizierte Wachstum ermöglichen. Außerdem hat Samsung im September 2012 begonnen, eine 300-mm-Fab für die Fertigung von NAND-Flash-Speichern in Xian zu bauen. Der Produktionsbeginn ist für das erste Halbjahr 2014 geplant.
Dass trotz der hohen IC-Nachfrage die Produktion in China nur zögerlich ausgebaut wird, führt IC Insights auf die Befürchtungen zurück, dass der IP-Schutz in China nicht gewährleistet ist. Umso beachtlicher ist der Schritt von Samsung, denn die 300-mm-NAND-Fab in Xian ist für die Fertigung auf Basis von 10 und 19 nm ausgelegt und stellt damit die erste Fab in China dar, in der mithilfe modernster Prozesstechnologien gefertigt wird.
IC Insights geht davon aus, dass die Zukunft der chinesischen IC-Fertigung auch in den nächsten Jahren von ausländischen Firmen abhängt und weniger von chinesischen Halbleiterunternehmen wie SMIC; Hua Hong Grace etc. So glauben die Analysten, dass selbst 2017 noch 70 Prozent der Produktion in China auf ausländische Firmen zurückzuführen ist.