Firma

ROHM Semiconductor GmbH

Deutlich mehr Anbieter

SiC- und GaN-Leistungsschalter auf der Überholspur

Während sich Siliziumkarbid (SiC) vor allem für Applikationen mit Sperrspannungen über 1000 V empfiehlt, scheint sich das erst vor wenigen Jahren aus den Labors in die Entwicklungsphase übergegangene Galliumnitrid (GaN) zu einer Alternative zu…

Rohm Semiconductor

Neue SiC-MOSFET-Generation mit hoher maximaler Sperrschichttemperatur

Die N-Kanal Leistungs-MOSFETs auf SiC-Basis sollen nicht nur für weniger Verlustleistung…

Lüftermotor-Treiber

Integrierter Hall-Sensor

Rohm hat mit den Bauteilen BU6904 und BU6906 Lüftermotor-Treiber mit integriertem…

Power-MOSFET

Branchenerster SiC-Power-MOSFET mit integrierter SiC-SBD

Der Hochvolt-Power-MOSFET SCH2080KE von Rohm wartet mit deutlich reduzierten…

Interview mit Rohm-President Sawamura

»Die vertikale Integration ist unsere Differenzierung«

Ein breites Produktspektrum und außergewöhnliche Fertigungstiefe erlauben es, nicht nur…

Exklusiv-Interview mit Satoshi Sawamura, President…

Rohm: »Die vertikale Integration ist unsere Differenzierung«

Ein breites Produktspektrum und außergewöhnliche Fertigungstiefe erlauben es, nicht nur…

SiC-Halbleiter

Rohm zeichnet Silica mit dem „Power Devices Excellence Award“ aus

Eine exklusive Auszeichung hat Rohm Semionductor auf der electronica erstmals an Silica…

Rohm Semiconductor

Power-Produkte auf der electronica

Rohm Semiconductor stellt auf der electronica neue Produkte aus den Bereichen Power…

Forschung

Brennstoffzellen für tragbare Geräte

Rohm hat zusammen mit der in Kyoto ansässigen Aquafairy Corp. und der Kyoto University…

Rohm Semiconductor baut seine Dual-Fab-Strategie…

Eine eigene Fertigung ist und bleibt der Qualitätsgarant

Rohm Semiconductor war nur indirekt durch die japanische Katastrophe betroffen, die…