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Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Mit ihrer innovativen Zellenstruktur erzielen die 650-V-IGBTs von Rohms dritter Generation eine hohe Schalteffizienz und ein sanftes Schaltverhalten.

Exklusiv-Interview

»Eine IoT-Fabrik sorgt für Null-Fehler-Chips«

Die Philosophie des japanischen Chipherstellers Rohm ist simpel: Qualität und nochmals…

Artikel des Jahres

Die besten Elektronik-Autoren des vergangenen Jahres

Durch fachlich tiefgehende Artikel zu aktuellen Themen bietet die Elektronik eine…

Wide-Band-Gap-Halbleiter

Nischendasein von SiC und GaN bald beendet

Wenn eine wichtige Branchen-Messe ansteht, wird immer bereits im Vorfeld diskutiert, ob…

Anforderungen durch Elektrifizierung

Neuer Sound-Prozessor aufgrund sinkender Nebengeräusche

Die steigende Elektrifizierung sorgt für mehr Ruhe im Fahrgastraum. Die Nebengeräusche des…

Siliziumkarbid-Kristallzüchtung

So entsteht ein SiC-Wafer

Siliziumkarbid ist Halbleitermaterial mit großer Zukunft. Allerdings ist die Herstellung…

Sub-GHz-Transceiver für smart meter

Messwerte störungsfrei übertragen

Elektronische Zähler zur Abrechnung von elektrischer Energie, Gas oder Wasser erfordern…

Schalten im Bordnetz

Halbleiterbauelemente zum Absichern im automobilen Bordnetz

Ein automobiles Bordnetz besteht aus verschiedenen elektrischen Komponenten wie…

Halbleiterhersteller/Tier-Ones/OEMs

Entwicklungszeit verkürzen?

Die Automobilindustrie befindet sich im Wandel. Nicht nur dass Tesla, Google und Co. den…

Die Gewinner des AD AWARD 2016

Markt&Technik prämiert die besten Anzeigen

Beim Markt&Technik AD AWARD kämpfen jedes Jahr originelle und ansprechende Anzeigen um die…