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MICRON SEMICONDUCTOR (Deutschland) GmbH

Micron

3 Mrd. Dollar für mehr Speicher-ICs

Bis 2030 will Micron 3 Mrd. Dollar in die Speicher-IC-Fab in Manassas in Virginia stecken, um sowohl die Fertigungs- als auch die R&D-Kapazitäten auszubauen.

Yangtze Memory Technology

China to Supply 64- Layer Flash Memory from as of 2019

Yangtze Memory Technology will present the Xtacking process at the Flash Memory Summit,…

Yangtze Memory Technology

China liefert 64-Layer-Flash-Speicher ab 2019

CEO Simon Yang bezeichnete Xtacking als einen Durchbruch für China: Der Weg zum dominanten…

Strommessverstärker

Ladestrom in Mobilgeräten überwachen

USB-C setzt sich zunehmend in Elektronikgeräten durch. Für das Überwachen von Ladeströmen…

Neue Speicher-IC-Techniken

Flash-ICs werden noch lange dominieren

Obwohl alternativer Speichertechniken in einigen Marktsektoren kräftig zulegen, werden…

Micron und Intel

Gemeinsame 3D-XPoint-Entwicklung beendet

Intel und Micron werden die 3D-XPoint-Speicher-IC-Technik künftig getrennt weiter…

Patentklage Micron – UMC/Jinhua

China blockiert Verkauf von Micron-Speichern

China hat zwei Töchtern von Micron vorläufig untersagt, bestimmte DRAM- und NAND-Module…

Neue IC-Fabs

China investiert am meisten

Die IC-Hersteller in China werden in diesem Jahr 11 Mrd. Dollar in den Ausbau ihrer…

NAND-Flash-Markt schrumpft

Intel und Toshiba legen gegen den Trend zu

Um 3 Prozent ist der Umsatz im NAND-Flash-Markt gesunken – doch gegen den Trend wuchsen…

Mobile DRAMs

Preise steigen weiter

Trotz der Nachfragedelle für Smartphones im vierten Quartal ziehen die Preise für mobile…